Новая производственная норма – а она, по заявлению чипмейкера, почти готова к началу серийного выпуска микросхем заказчиков во второй половине будущего года, – носит название N2 Nanosheet. «Нанолист» в данном случае – условное обозначение особой конструкции транзистора с трубчатым затвором gate-all-around, GAA, топологически отличающейся от характерной для многолетних рабочих лошадок полупроводниковой индустрии «гребенчатых», FinFET. Такая конструкция позволяет этим миниатюрным устройствам уверенно функционировать при нанометровых масштабах ширины канала между истоком и стоком электрического заряда. Как сообщили представители TSMC, изготовленные по техпроцессу N2 Nanosheet чипы в сравнении с самыми передовыми из серийно выпускаемых сегодня компанией СБИС на базе производственной нормы N3E FinFlex (вот те как раз – с гребенчатыми транзисторами) демонстрируют на 15% более высокую производительность и потребляют притом заметно меньше энергии – разница составляет до 30%. Плотность размеще