Компания Samsung Electronics завершила разработку логического чипа для своей памяти с высокой пропускной способностью нового поколения (HBM4) и запустила пробное производство, используя 4-нм технологический процесс, что знаменует очередной шаг к массовому производству во второй половине 2025 года. Обновленный график опережает примерно на шесть месяцев первоначальный план запуска в 2026 году, который потенциально позволит Samsung получить ключевые заказы от ведущего производителя графических процессоров, компании Nvidia. Производство HBM4 происходит на специализированном предприятии D1c, где используется передовой 10-нм техпроцесс DRAM. Чтобы ускорить процесс производства, Samsung даже пропустила обычный этап разработки D1b. Технические подробности, представленные на ISSCC 2024, показывают, что HBM4 обеспечит значительный прирост производительности благодаря скорости передачи данных до 2 ТБ/с, это примерно на 66 процентов быстрее, чем HBM3E. Память также будет поддерживать 2048-битный и