Тайваньский гигант полупроводниковой индустрии, компания TSMC, на недавней конференции IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) в Сан-Франциско подробно рассказала про ключевые особенности своего новейшего 2-нанометрового техпроцесса. Передовой технологический процесс обещает не только значительное повышение производительности микрочипов, но и довольно ощутимое снижение энергопотребления, тем самым открывая новые горизонты для развития вычислительной техники, мобильных устройств и искусственного интеллекта. Центральное место в 2-нм техпроцессе занимает технология транзисторов с круговым затвором (GAA, gate-all-around), которая приходит на смену FinFET, доминировавшей в индустрии на протяжении последнего десятилетия. GAA обеспечивает более полный контроль над потоком электронов в транзисторе, что позволяет существенно увеличить плотность размещения элементов на кристалле. Результатом становится прирост производительности до 15% и снижение энергопотребления на внушительные 25-30
TSMC приоткрыла завесу тайны над своим передовым 2-нм техпроцессом
18 декабря 202418 дек 2024
145
2 мин