Найти в Дзене

Работа по очередному гранту на этапе завершения!

В течение двух лет коллектив, в состав которого вошли доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой «Автоматизация и управление» А.Н. Бормотов (руководитель проекта) и к.т.н., доцент кафедры «Физика и математика» Э. В. Карпухин (основной исполнитель), выполнял научно-исследовательскую работу «Математическое моделирование и синтез магнитострикционных материалов и устройств», поддержанную грантом Российского научного фонда № 23-29-00207, https://rscf.ru/project/23-29-00207/.

На средства гранта было закуплено современное высоко технологичное научное оборудование – генератор сигналов, цифровой осциллограф, преобразователь перемещений, цифровой логический анализатор, компьютер, тесламетр и пр. Коллеги решали актуальную задачу импортозамещения магнитострикционных материалов и разработки теории и технологии моделирования и синтеза отечественных магнитострикционных материалов с заданными параметрами структуры и свойств, а также изготовления изделия на их основе.

«На сегодняшний момент мы на основе анализа научных основ математического моделирования и многокритериального синтеза магнитострикционных материалов и механизмов управления структурой и свойствами магнитострикционных материалов провели исследования методов синтеза управляющих воздействий на структуру магнитострикционных материалов, – рассказывает руководитель проекта. – Итогом стала сформированная нами рецептура и технология получения эффективных магнитострикционных материалов и сплавов».

Работа имеет практическую ценность: ученые ПензГТУ разрабатывают магнитострикционные материалы нового поколения с регулируемыми параметрами структуры и магнитными свойствами, позволяющими обеспечить заданные технологические и эксплуатационные характеристики различных магнитострикционных устройств. А на базе университета организована лаборатория магнитострикции, позволяющая проводить перспективные научные исследования сотрудниками университета, а также использовать современное оборудование в образовательном процессе.

Подробнее здесь