Samsung Electronics анонсировала на предстоящей конференции ISSCC 2025 презентацию инновационной памяти GDDR7. Новый чип демонстрирует впечатляющую пропускную способность в 42,5 Гбит/с, что существенно превосходит показатели современных решений.
Ключевые характеристики памяти GDDR7 от Samsung включают емкость 24 Гбит (эквивалентно 3 ГБ) и оптимизированное энергопотребление. По сравнению с предыдущим поколением GDDR6, производительность новой памяти увеличена на 77%.
ISSCC 2025 пройдет с 16 по 20 февраля в Сан-Франциско. Презентация Samsung состоится 19 февраля в рамках секции, посвященной энергонезависимой памяти и DRAM.
Несмотря на впечатляющие характеристики, внедрение GDDR7 в массовые продукты может занять некоторое время. Согласно предварительным данным, NVIDIA планирует использовать в своих видеокартах серии GeForce RTX 50 модули GDDR7 со скоростью 28 Гбит/с. Однако, теоретически, память Samsung с пропускной способностью 42,5 Гбит/с способна обеспечить еще более высокую производительность.
На ISSCC 2025 также ожидается презентация SK Hynix, которая представит свою новую 321-слойную 4D NAND-память.
Анонс Samsung свидетельствует о стремительном развитии технологий памяти. Новая GDDR7 открывает широкие перспективы для создания высокопроизводительных графических систем и других устройств, требующих высокой пропускной способности.
https://fantechno.com/samsung-prepares-breakthrough-in-graphics-gddr7-with-record-speeds/