С развитием мобильных технологий возросли требования к скорости зарядки, компактности и эффективности зарядных устройств. Зарядные устройства на базе GaN-транзисторов (галлий-нитрид) стали новым этапом в индустрии, обеспечивая более быструю и эффективную зарядку по сравнению с традиционными кремниевыми (Si) зарядками. В этой статье разберем принцип работы зарядных устройств GaN, их преимущества и недостатки. GaN (галлий-нитрид) – это полупроводниковый материал, который обладает лучшими электрическими свойствами по сравнению с традиционным кремнием. Он позволяет создавать более компактные и эффективные электронные компоненты. В традиционных зарядных устройствах используются MOSFET-транзисторы на базе кремния (Si), которые имеют ограничения по скорости переключения и тепловым потерям. GaN-транзисторы обладают меньшим сопротивлением и более высокой скоростью переключения, что снижает потери энергии и позволяет работать на более высоких частотах. ✅ Компактность – GaN-зарядки на 50–60%
Зарядные устройства на базе GaN-транзисторов: революция в мире зарядки смартфонов
30 марта 202530 мар 2025
2 мин