Фототранзистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с двумя p-n переходами.
Чаще всего фототранзистор изготавливают как обычный плоскостной транзистор из германия или кремния, но лишь с двумя выводами: коллекторным и эмиттерным. Световой поток Ф падает на базовую область, поэтому эмиттер делают тонким и небольших размеров. Под воздействием фотонов в базе образуются новые пары носителей заряда - электроны и дырки. В фоторезисторе типа p-n-p неосновные носители заряда в базе (дырки) движутся через базу на коллектор, вызывая увеличения фототока фототранзистора. Чувствительность фототранзисторов значительно выше чувствительности фотодиодов.
Вольт-амперные характеристики фототранзистора аналогичны коллекторным характеристикам обычного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером. Темновой ток у фототранзистора выше, чем у фотодиода. Энергетические характеристики фототока фототранзистора линейны. Спектральные характеристики фототранзисторов и фотодиодов, выполненных из одних материалов не отличаются друг от друга. Частотные характеристики фототранзистор значительно хуже частотных характеристик фотодиодов за счёт ёмкости эмиттерного перехода.
Фототранзисторы используют в системах охраны, компьютерных логических системах управления, в автоматическом управлении освещением различных датчиках и так далее.
#физика #электроника