Не все твердотельные NVMe-накопители нового стандарта PCI 5.0 будут работать в одинаковом диапазоне скоростей, пишет портал Tom’s Hardware. Первая волна SSD с поддержкой PCIe 5.0, вероятнее всего, будет основана на контроллере Phison PS5026-E26 с поддержкой восьми каналов флеш-памяти NAND, и будет оснащаться чипами флеш-памяти со скоростью передачи до 2400 МТ/с на канал.
Сама Phison заявляет, что её контроллер E26 обеспечивает скорость последовательного чтения до 13 Гбайт/с, а последовательной записи — до 12 Гбайт/с. При этом заявленный показатель производительности в операциях случайного чтения и записи у накопителей на его базе будет достигать 1,5 и 2 млн IOPS соответственно.
Несмотря на сказанное выше, мы уже видели анонсы накопителей от разных брендов, для которых заявляется поддержка интерфейса PCIe 5.0, но при этом большинством указывается максимальная скорость последовательного чтения и записи не выше 10 Гбайт/с. Например, такие новинки готовят Corsair и GoodRAM. Объяснить это можно тем, что выпускающиеся сейчас чипы флеш-памяти NAND недостаточно быстры для заполнения шины PCIe 5.0 по которой в обоих направлениях можно передавать данные со скоростью до 15,75 Гбайт/с. Например, недавно поступившие в массовое производство 232-слойные микросхемы флеш-памяти 3D NAND от компании Micron могут обеспечить скорость передачи лишь до 12,5 Гбайт/с. Это следует из анонса флагманской серии накопителей Gigabyte Aorus Gen5 10000, которые будут их использовать.
По мнению Tom’s Hardware, на старте продаж накопителей стандарта PCIe 5.0 будет представлено не очень много моделей, способных предложить скорость чтения и записи выше 10 Гбайт/с, поскольку большинство из них будут использовать 176-слойные чипы флеш-памяти, ограниченные скоростью передачи на уровне 1600 МТ/с. Исходя из этого, было бы разумно не спешить с покупкой первых моделей SSD нового стандарта и дождаться более широкого распространения в продаже моделей на базе 232-слойных микросхем флеш-памяти Micron, либо вообще подождать до следующего года, когда в продаже начнут появляться ещё более скоростные решения на базе 238-слойной флеш-памяти NAND от Hynix.
Больше интересных новостей на сайте 3DNews:
• Эксперимент с модернизированной микроволновкой помог приблизить TSMC к освоению 2-нм производства чипов
• Chevrolet представила электрический кроссовер Equinox EV за $30 000 — один из самых доступных электромобилей в США
• Xiaomi выпустила защищённый пауэрбанк, которым можно питать небольшой дом — 1,8 кВт и 280 000 мА·ч