В тех случаях когда в электронных схемах не хватает мощности одного полевого транзистора, зато под рукой имеются несколько одинаковых штук, есть смысл делать параллельное соединение данных транзисторов! Схема такого соединения полевых транзисторов представлена ниже.
В большинстве случаев на практике используется соединение полевиков по схеме с общим истоком. Аналогичным подключением биполярных транзисторов является схема с общим эмиттером.
И тут можно увидеть разницу. Обязательным условием для параллельного подключения биполярников является наличие в эмиттерной цепи дополнительного резистора. Эти резисторы выравнивают коллекторные токи всех биполярных транзисторов в схеме, делая работу такого подключения более стабильной и уравновешенной.
Параллельное подключение полевых транзисторов не нуждается в наличии дополнительных резисторов в цепи истока. Что является достоинством полевых транзисторов. Причина тому следующая. При работе силовой части (токи стока) полевого транзистора с изолированным затвором происходит естественный нагрев данного компонента. При увеличении температуры внутреннее сопротивление силового канала транзистора сток-исток также увеличивается (у биполярного оно наоборот уменьшается). Следовательно, чем больше нагрев полевого транзистора, тем меньше тока он будет через себя пропускать. В итоге, полевик сам стабилизирует свою работу, и при изменении температуры на всех параллельно подключенных полевых транзисторах токи стоков сами выравняются и уравновешиваются.
В начале я сказал, что параллельное соединение полевиков позволяет увеличить общую рабочую мощность. В первую очередь происходит суммирование рабочих токов стока. Если мы возьмем, допустим, одни полевой транзистор типа IRFZ44, то в его даташите указан максимально допустимый ток 50 ампер. При параллельном соединении трех таких транзисторов мы уже можем получить максимальный ток в 150 ампер.
Большим достоинством полевых транзисторов с изолированным затвором является то, что они в открытом состоянии имеют крайне малое сопротивление своего силового канала сток-исток. У IRFZ44 сопротивление насыщения равно 0,028 Ом. Чем меньше будет это сопротивление, тем меньше будет нагреваться полевой транзистор при работе с большими токами. Следовательно, три параллельно соединенных таких компонента нам уже могут обеспечить сопротивление 0,009 Ом. А это еще меньший нагрев и большая экономность мощности!
Конечно, подобные электронные компоненты не рекомендуется на практике использовать при максимально допустимых значениях их характеристик. И обычно рассчитывается, что эти детали будет эксплуатироваться где-то на половине своих возможностей. Более того, стоит учитывать и тот факт, что вам могут попасться, как оригиналы, так и подделки. Если качественный, оригинальный компонент еще может обеспечить свои параметры, заявленные в спецификации, то вот Китайская подделка, увы, нет. Поэтому, если вы имеете под рукой не оригинальный полевой транзистор на 50 ампер, и планируете получить от транзистора эти 50 ампер, то луче сделать параллельное соединение из 3 штук этих полевиков. В итоге с трех штук еще можно выжать нужный вам ампераж!
Еще не маловажным моментом будет следующий нюанс. Как известно, между затвором и истоком (управляющими выводами полевика) имеется определенная емкость. У транзистора IRFZ44 она равна 1,9 нФ. Соединив параллельно три таких транзистора у нас суммируется и их входная емкость, которая уже будет равна 5,7 нФ. А чем больше входная емкость, тем тяжелее транзистору будет делать переключение. При работе полевого транзистора на высоких частотах увеличение этой емкости отрицательно будет сказываться на работу данной схемы. И это обязательно стоит учитывать новичку.