Компания Samsung, как сообщается, приступила к разработке модулей памяти DDR5 объёмом 1 ТБ. Известно, что рабочее напряжение такой памяти составляет 1,1 В, частота достигает 7200 МГц и выше, а для создания модуля используется 32 банка памяти. Такая память в первую очередь пригодится в серверном сегменте, в том числе для процессоров AMD Epyc поколения Genoa, которые ожидаются позже в этом году. Напомним, у этих CPU будет до 96 ядер. Также источник говорит, что Samsung работает над микросхемами DRAM ёмкостью 32 Гбит с использованием стеков 3D-Stacking и 8-Hi.
Компания Samsung, как сообщается, приступила к разработке модулей памяти DDR5 объёмом 1 ТБ.
Известно, что рабочее напряжение такой памяти составляет 1,1 В, частота достигает 7200 МГц и выше, а для создания модуля используется 32 банка памяти.
Такая память в первую очередь пригодится в серверном сегменте, в том числе для процессоров AMD Epyc поколения Genoa, которые ожидаются позже в этом году. Напомним, у этих CPU будет до 96 ядер.
Также источник говорит, что Samsung работает над микросхемами DRAM ёмкостью 32 Гбит с использованием стеков 3D-Stacking и 8-Hi.