Уважаемые коллеги, доброго Времени суток! Представляем вам сингапурское научное издание Journal of Advanced Dielectrics. Журнал имеет третий квартиль, издается в World Scientific Publishing Co. Pte Ltd, находится в открытом доступе, его SJR за 2021 г. равен 0,378, импакт-фактор 0,771, печатный ISSN - 2010-135X, электронный - 2010-1368, предметные области - Керамика и композиты, Материаловедение, Прикладная физика, Физика конденсированных сред, Электронные оптические и магнитные материалы, Электротехническая и электронная промышленность. Вот так выглядит обложка:
Редактором является Хи Яо, контактные данные - xyao@xjtu.edu.cn, jad@wspc.com.
Это международный рецензируемый журнал, исследующий оригинальные материалы по пониманию и применению диэлектриков в современных электронных устройствах и системах. Он стремится обеспечить междисциплинарный форум для быстрого обмена информацией о новых исследованиях высокого качества по следующим темам, но не ограничиваясь ими:
- Основы диэлектриков (расчеты ab initio или первых принципов, теория функционала плотности, феноменологические подходы);
- Поляризация и связанные с ней явления (спонтанная поляризация, доменная структура, изменение поляризации);
- Диэлектрическая релаксация (универсальный закон релаксации, релаксорные сегнетоэлектрики, гигантская диэлектрическая проницаемость, флексоэлектрический эффект);
- Сегнетоэлектрические материалы и устройства (монокристаллы и керамика);
- Тонкие/толстые пленки и устройства (сегнетоэлектрические запоминающие устройства, конденсаторы);
- Пьезоэлектрические материалы и их применение (пьезокерамика и кристаллы на основе свинца, пьезоэлектрики без свинца);
- Пироэлектрические материалы и устройства;
- Мультиферроики (однофазные мультиферроики, композитные ферромагнитные сегнетоэлектрические материалы);
- Электрооптические и фотонные материалы;
- Материалы для сбора и хранения энергии (полимерные, композитные, суперконденсаторные);
- Фазовые переходы и структурные характеристики;
- Микроволновые и миллиметровые диэлектрики;
- Наноструктура, размерные эффекты и характеристики;
- Разработка диэлектриков для применения под высоким напряжением (изоляция, электрический пробой);
- Моделирование (эволюция микроструктуры и взаимосвязь микроструктуры и свойств, многомасштабное моделирование диэлектриков).
Адрес издания - https://www.worldscientific.com/worldscinet/jad
Пример статьи, название - Dielectric relaxation and conduction mechanism of NaMgPO4 compound. Заголовок (Abstract) - The polycrystalline NaMgPO4 ceramic, synthesized via a high-temperature solid-state reaction route, has been characterized by using different experimental procedures. The X-ray powder diffraction confirmed the phase formation of the synthesized compound in the orthorhombic phase. It assumed an olivine-type structure made up of corners linked between tetrahedral PO4 and octahedral NaO6 and MgO6 groups. Infrared and Raman spectroscopies confirmed the presence of PO3−443− groups. Local structure and chemical bonding between MgO6 octahedral and PO3−443− tetrahedral groups investigated by diffusion Raman is the feature in the phase transition at T=T= 693 K. The temperature dependences of the real ε′𝜀′ and imaginary ε′𝜀′ parts of dielectric permittivity show a distribution of relaxation times. From Nyquist plots, the presence of grain and grain boundary effect in the material is noticed. The impedance spectroscopy measurement showed a non-Debye-type process. From the impedance data, the determined grain resistance reduces with increment of temperature showing negative temperature coefficient of resistance (NTCR)-type nature of the material which also confirmed from conductivity analysis. The temperature dependence of σdcσdc reveals an Arrhenius-type behavior with two activation energies, 0.98 eV in region I and 0.67 eV in region II. Studied sample’s conduction is assured by Na++ ions’ hopping in tunnels and its mechanism was discussed. Keywords: Sodium-magnesium orthophosphate; Raman; phase transition; NSPT model; sodium-ion conductivity