Фоторезистор - полупроводниковый элемент, сопротивление которого зависит от уровня освещённости. Под действием света электрическое сопротивление фоторезистора уменьшается в тысячи раз. При этом сила тока в цепи возрастает, достигая значения достаточного для включения или работы какого-либо устройства.
Если к фоторезистору приложить постоянное напряжение и менять его освещённость, то обнаружится, что ток, протекающий через фоторезистор, изменяется нелинейно. Это означает что световая характеристика - зависимость тока от светового потока при неизменном приложенном напряжении нелинейна.
Ток протекающий через фоторезистор, зависит не только от освещённости, но и от приложенного напряжения. Если фоторезистор освещать неизменным светом и менять приложенное напряжение, то протекающий по нему ток будет меняться пропорционально изменению напряжения. Это означает что фоторезисторы при неизменном световом потоке имеют линейную вольт-амперную характеристику и подчиняются закону Ома.
Устройство
Фоторезистор представляет собой диэлектрическую пластинку, на которую нанесён тонкий слой полупроводника с границей в виде волны. Пластинка помещается в корпус. Для защиты от влаги полупроводниковый слой покрывается прозрачным лаком.
Достоинства
Высокая чувствительность, простота конструкции, высокая надёжность , малые габариты, значительная мощность рассеивания, сопротивление не зависит от полярности источника питания
Недостатки
Относительно невысокое быстродействие -задержка в изменении сопротивления при включении или выключении света достигает 50 миллисекунд, что для электронных схем очень медленно, сильная зависимость сопротивления от температуры
Историческая справка
Датой рождения фоторезистора можно считать 1873 год, когда англичане У. Смит и Дж. Мейем зафиксировали изменение сопротивление селена под действием света. Это явление получило название внутреннего фотоэффекта или фотопроводимости.