Низковольтный интерфейс NV-LPDDR4 обеспечивает лучшую экономию энергии при передаче бита информации — до 30% по сравнению с предыдущим поколением. Американская компания Micron Technology первой в мире выпустила 232-слойную память формата NAND. Это TLC-память с шестью плоскостями с возможностью независимого считывания в каждой плоскости. За счет низковольтного интерфейса NV-LPDDR4 новинка обеспечивает до 30% лучшую экономию энергии при передаче бита информации по сравнению с предыдущим поколением. К тому же инновационная память предлагает самую высокую плотность на квадратный миллиметр среди существующих решений — 14 ГБ/мм2. Габариты новинки составляют 11,5×13,5 миллиметра, что на 28% меньше, чем у 176-слойной памяти. Массовое производство Micron NAND нового поколения уже стартовало на заводе компании в Сингапуре. Сроки выхода 232-слойной памяти на рынок пока не называются, но ожидается, что для начала она дебютирует в накопителях Crucial. Кстати, если вы в первый раз покупаете на Янде
