Уважаемые коллеги, доброго времени суток! Представляем вам нидерландское научное издание Materials Chemistry and Physics. Журнал имеет второй квартиль, издаётся в Elsevier BV, его SJR за 2021 г. равен 0,749, импакт-фактор 4,778, электронный ISSN - 0254-0584, предметные области - Материаловедение, Физика конденсированных сред. Вот так выглядит обложка:
Здесь два редактора - Сэмми Лап Ип Чан, контактные данные - sli.chan@unsw.edu.au.
и Ченг-Конг Дух - jgd@mx.nthu.edu.tw.
Дополнительный публикационный контакт - matchemphys@elsevier.com.
Журнал посвящен кратким сообщениям, полноформатным исследовательским работам и тематическим статьям о взаимосвязях между структурой, свойствами, обработкой и эксплуатационными характеристиками материалов. Редакторы приветствуют рукописи по всем темам металлургии, машиностроения и функциональной керамики, специальных полимеров, композитов, материалов с низким содержанием D, модификации поверхности и покрытий с акцентом, но не ограничиваясь ими, на энергетические материалы, экологически чистые материалы, оптические и оптоэлектронные материалы, электронные, магнитные и полупроводниковые материалы, биоматериалы, экологически чистые материалы, деградация и надежность, а также моделирование материалов.
Адрес издания - https://www.journals.elsevier.com/materials-chemistry-and-physics
Пример статьи, название - Coexisting ferroelectricity and photoconductivity in doped LN-type ZnSnO3 nanospikes. Заголовок (Abstract) - Lead-free noncentrosymmetric (NCS), Lithium Niobate (LN)-type oxide, ZnSnO3, is an attractive candidate as emerging ferroelectric-photovoltaic solar absorber as it has well developed ferroelectricity and possibility of band-gap engineering. Here, simple solvo (hydro)thermal synthesis, ferroelectric (Ps ≈ 2.3 μC/cm2, and Pr ≈ 1.3 μC/cm2 at Ec = 40 kV/cm from undoped sample) and photoconductive properties of largely LN-type ZnSnO3 nanospikes (NSs) are studied and reported before and after doping with varying Ca and Ba molar concentration. A gradual shift in band gap from ∼4.15 eV in undoped sample is noticed by both kinds of doping (∼2.8 and ∼2.7 eV for 6 mol. % Ca and 4 mol. % Ba, respectively) and a consecutive strain in the lattice of ∼0.8–3% is estimated in the doped NSs. Furthermore, these optimized doped samples retain ferroelectricity (Ps ≈ 2.19 μC/cm2 for Ca doping and Ps ≈ 2.66 μC/cm2, for Ba doping at Ec ∼ 20 kV/cm, respectively), while conductivity in light appear (∼10 times for Ca doping and ∼3 times for Ba doping). The doped samples additionally show photo-switching behavior with a sharp rise and a decay in the ON-OFF cycle reaching a current of 10 nA in a little more than 1 min for optimized Ca doping. The observation of coexisitng ferroelectricity, and simultaneous photoconductivity in doped LN-type ZnSnO3 opens up further interest and possibility of exploring LN-type ferroelectric oxide nanostructures for photosensing and photovoltaic applications.
Graphical abstract
LN-type ZnSnO3 nanospikes show undiminished ferroelectricity and increased photoconduction after band gap decrease via dopi
Keywords: Ferroelectricity; Nanostructures; Doping; Band-gap; modification; Photoconduction; LN-ZnSnO3