Найти тему

Силовые IGBT транзисторы до 1200 В и до 75 А от SUNCOYJ

Компания SUNCOYJ (Китай) анонсировала выпуск силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер от 600 до 1200 В и диапазоном токов от 10 А до 75 А.

Силовые IGBT транзисторы до 1200 В и до 75 А от SUNCOYJ
Силовые IGBT транзисторы до 1200 В и до 75 А от SUNCOYJ

С полным списком из более 20 новых изделий можно ознакомиться на сайте производителя по ссылке.

Основные сферы применения транзисторов:

  • приборы высокочастотной коммутации
  • резонансные преобразователи
  • источники бесперебойного питания
  • сварочные преобразователи