Сегодня южнокорейский гигант провел церемонию, посвященную старту первой поставки 3-нм чипов, выполненных с использованием транзисторов GAA.
Мероприятие состоялось на производственной линии V1 компании в кампусе Хвасон в провинции Кёнгидо. Участие приняли около 100 человек, в том числе Чанъян Ли (министр торговли, промышленности и энергетики), Ки Кён Хён (генеральный директор Samsung Electronics DS), а также сотрудники, занимавшиеся разработкой новых устройств.
3-нм чипы Samsung используют технологию GAA (Gate All Around, которая обладает более высокой энергоэффективностью и производительностью, нежели технология FinFET. GAA будет использоваться при создании высокопроизводительных вычислительных чипов для серверов и центров обработки данных, а также смартфонов, планшетов, носимых устройств, ноутбуков, ПК и др.
Samsung начала разработку технологии GAA в начале 2000-х гг. и успешно применила при производстве 3-нм чипов в 2017-м. После нескольких лет исследований и разработок компания начала пробное производство новых чипов.
TSMC, основной конкурент Samsung в области контрактного производства полупроводников, начнет производить 3-нм чипы предположительно в IV квартале этого года. Компании будут бороться за получение заказов от AMD, Apple, MediaTek, Nvidia и Qualcomm.