Микроэлектронная компания Applied Novel Devices (AND) выпустила новые кремниевые силовые ключи MOSFET, лишённые паразитного диода между стоком и истоком. Несмотря на то что этот диод включён в обратной полярности, его низкое быстродействие (точнее, долгий выход из насыщения) затрудняет проектирование преобразователей напряжения.
Паразитный элемент, расположенный в глубине кристалла, исключён уменьшением толщины подложки до 20-30 мкм. При такой толщине пластина становится гибкой, и для производства инженеры AND были вынуждены снабдить её несущим элементом (см. фото). Согласно компании, напряжение срабатывания затвора транзистора уменьшено до 2,5 В, сопротивление канала в открытом состоянии не превышает пяти тысячных ома на квадратный миллиметр площади, причём по частотным характеристикам новые кремниевые ключи не уступают нитрид-галлиевым.
__________________________________
Спасибо за ваши комментарии и лайки. Нам важно, что вы нас читаете.