Найти тему

Почему мы выбираем сетевые зарядные устройства с технологией GaN?

Про технологию GaN (нитрид галлия), которая сегодня реализована на рынке сетевых зарядных устройств, рассказано достаточно много.

Благодаря GaN, сделан огромный шаг в направлении к глобальной цели всей промышленности и, в частности, индустрии электронных устройств - "чистого нуля" или углеродной нейтральности.

Последние четыре года зарядные устройства вскрываются любознательными блогерами, и содержимое зарядников бурно обсуждается на профильных ресурсах.

Но, интересно ли это потребителю, у которого нет времени разбираться в тонкостях технологий?

Какую выгоду получит покупатель от обладания СЗУ с использованием технологии GaN? Насколько идеально соотношение цены к качеству у таких устройств?

Схема расположения GaN в СЗУ
Схема расположения GaN в СЗУ

Размер имеет значение

Размер сетевого зарядного устройства, в котором реализована технология GaN, в среднем на 30 % меньше, чем у устройства на кремниевой технологии.

Преимущества: легко брать с собой. Собираясь в путешествие или командировку, когда каждый свободный сантиметр в сумке на особом, полезном счету, лучше отдать предпочтение именно таким зарядным устройствам.

При общем тренде в мире электроники на все компактное, тонкое и эргономичное, сетевые зарядные устройства с технологией GaN бодро шагают в этом направлении.

СЗУ с технологией GaN легче, чем кремниевые

Первое преимущество - размер, плавно переходит в преимущество второе - легкость. Например, СЗУ бренда LYAMBDA весят всего от 55 до 140 грамм в зависимости от мощности устройства и количества портов выхода. Ассортимент можно изучить тут.

Приятно пользоваться вещью, которая элегантна и легка.

Сетевые зарядные устройства LYAMBDA
Сетевые зарядные устройства LYAMBDA

Температура и безопасность

В отличие от зарядных устройств на основе кремния, СЗУ с GaN, не требуют внутри себя системы мощного охлаждения, поскольку не имеют свойства нагреваться до высоких температур. При полной загрузке всех портов СЗУ, оно не нагреется выше 50 градусов.

Как пример использования GaN, HDPlex выпустила самый маленький в мире блок питания формата ATX мощностью 250W. Его размер по габаритам сравним со смартфоном и в нем не предусмотрено вентиляторов для охлаждения.

Так сохраняется безопасность использования СЗУ. Даже если вы находитесь на самом жарком курорте мира, то зарядное устройство, выполненное с применением технологии GaN будет работать стабильно.

Высокий КПД, как экономия электроэнергии и более быстрая зарядка

Поскольку тепловые потери СЗУ на GaN меньше, то увеличивается КПД данного устройства. Максимум электроэнергии, полученной из сети, тратится на зарядку вашего планшета, ноутбука или смартфона.

По мере увеличения потребности в энергии, повсеместное использование GaN способствует меньшим выбросам углерода в атмосферу. Например, адаптер GaN мощностью 65W имеет меньший след CO2, чем устаревший кремний.

-3

И самое главное, более высокая плотность мощности позволяет реализоваться функции быстрой зарядки на несколько конечных устройств одновременно.

Таким образом, сетевые зарядные устройства с технологией GaN соответствуют последним трендам в мире электроники. Они технологичны и более экологичны.