Компания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства подложек из монокристаллического полупроводникового оксида галлия бета-формы β-Ga2O3. Оксид галлия (Ga2O3) - полупроводниковый материал четвёртого поколения, который в будущем сможет заменить широкозонные полупроводники третьего поколения – карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). По сравнению с SiC и GaN, β-Ga2O3 имеет ряд преимуществ и потенциально будет использоваться в силовой и ВЧ/СВЧ- электронике. Для заказа доступны разные спецификации монокристаллического полупроводникового β-Ga2O3. Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции PAM-Xiamen в РФ.
Компания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства подложек из монокристаллического полупроводникового оксида галлия бета-формы β-Ga2O3.
Оксид галлия (Ga2O3) - полупроводниковый материал четвёртого поколения, который в будущем сможет заменить широкозонные полупроводники третьего поколения – карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). По сравнению с SiC и GaN, β-Ga2O3 имеет ряд преимуществ и потенциально будет использоваться в силовой и ВЧ/СВЧ- электронике.
Для заказа доступны разные спецификации монокристаллического полупроводникового β-Ga2O3.
Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции PAM-Xiamen в РФ.