Израильская компания Weebit Nano — разработчик технологий памяти нового поколения — сообщила об успешном завершении этапа функционального тестирования SoC с блоком встроенной памяти ReRAM. Это ключевой шаг к началу массового производства решений с резистивной памятью, важнейшими свойствами которой станет повышенная устойчивость к износу и лучшее быстродействие в паре с энергонезависимостью.
Резистивная память компании Weebit Nano работает по тому же принципу, как и пресловутый мемристор компании HP и прочие разновидности резистивной памяти. В запоминающем слое ячейки памяти с помощью обратимой диффузии ионов создается проводимость с определенным сопротивлением. Такая память не требует операции стирания, что делает ее более быстрой в работе. Износ ячейки также сравнительно медленный. Отмечается высокая устойчивость к внешним факторам, поскольку нет необходимости хранить постоянно «утекающий» заряд в ограниченном объеме ячейки. Также такая память менее подвержена температурным колебаниям, радиации и другим негативным факторам, что делает ее привлекательной для индустриального и военного сектора.
Первый кремний с демонстрационными чипами SoC с блоками ReRAM Weebit Nano был выпущен в декабре 2021 года. Судя по всему, пластины обрабатывались на опытной линии французского института CEA-Leti. Партнеры не сообщают о диаметре пластин и техпроцессе, обещая предоставить данные о характеристиках массивов памяти позже. Но, опираясь на предыдущие релизы, можно предположить, что речь идет о 200-мм пластинах и 28-нм техпроцессе, в рамках которого выпущены демонстрационные SoC с микроконтроллером на архитектуре RISC-V и блоком памяти ReRAM объемом 128 Кбит.