Это немного кликбейт, но нисколько не ирония. Это действительно прорыв! Вы же не думали, что микросхемы - это микропроцессоры? А вот нет. Но всё же, почему так много, 180 нанометров? Это же прошлый век (буквально).
Речь идёт о начале производства силовых микросхем на предприятии Key Foundry в Южной Корее с использованием техпроцесса 0,18 микрон, ну то есть 180 нанометров. Да, вы уже поняли, что речь не о вычислительных, а о силовых схемах. Здесь важна не производительность, а возможность работать при высоком напряжении, и изготовление даже таких микросхем уже серьёзное достижение.
Всё дело в том, что в таких схемах сразу три вида транзисторов. Технологический процесс называется BCD (Bipolar-CMOS-DMO), то есть на одном кристалле выполняют как древние биполярные транзисторы, так и силовые (DMO) и уже привычные полевые (CMOS). Первые осуществляют обработку аналогового сигнала, вторые нужны для работы с высоким напряжением, ну а третьи - по классике - считают.
Всё это часть пути по уменьшению размеров систем электронных устройств и повышению их энергоэффективности. Потребитель не дремлет (хотя в свете нынешних событий может и подремать немного), и требования к устройствам становится всё более бескомпромиссными. Меньше, симпатичнее, производительнее. В том числе это касается производительности зарядки, сейчас на рынке всё больше устройств, способных заряжаться полностью за минуты. Эта технология позволит создать портативные зарядные устройства мощностью 240 Вт, для сравнения - существующие пока не превышают 100 Вт. Кроме того, такие устройства позволят управлять электродвигателями большой мощности, что открывает дополнительные возможности применения в бурнорастущей отрасли электромобилестроения. Там есть где их применить: в устройствах зарядки, в устройствах управления напряжением и преобразователях, в устройствах управления электродвигателями.
В последнее время наметился серьёзный прогресс в области силовой электроники. Основной проблемой таких устройств являлась большая мощность, которая накладывает ограничения на их размер (маленькие просто сгорят или будут пробиты электрическим разрядом). В этих схемах применяются другие полупроводники, не кремний, точнее могут быть соединения кремния, например карбид кремния, а также арсенид галлия (арсениды - соединения с мышьяком). Раньше силовые устройства собирали по-старинке, отдельными компонентами на печатной плате. Микросхемы управления, если и применялись, то отдельно от силовых компонентов и их требовалось изолировать от высокой мощности. Теперь подобные устройства стали делать на одном кристалле. Так что прогресс движется не только к ангстремам в вычислительной электронике.
Источник тут.
Ставьте лайки, пишите комментарии и подписывайся на другие наши площадки (время нынче трудное, якоря везде бросать приходится):
Пока не заблокировали, вот канал на YouTube
Ну и совсем на крайний случай, канал в RuTube