Ученые разработали технологию производства алмазных полевых транзисторов с подвижностью дырок в 5 раз выше обычного, которые могут стать основой устройств, работающих энергоэффективнее при более высоких скоростях, напряжениях и температурах.
Алмаз обладает отличными широкозонными полупроводниковыми свойствами, которые делают его потенциальным кандидатам для создания следующего поколения электроники. Однако предыдущие попытки изготовления полевых транзисторов на основе самого твердого минерала с водородными концевыми группами были провальными из-за слабой подвижности дырок, не превышающей 10% показателя алмаза до интеграции.
Теперь исследователям из японского Национального института материаловедения удалось добиться успеха за счет использования гексагонального нитрида бора в качестве изолятора затвора вместо традиционно используемых оксидов, а также применения новой технологии изготовления, способной предотвращать воздействие воздуха на поверхность минерала с концевыми водородными группами.
Из-за высокой плотности дырок в разработке их подвижность в пять раз выше, чем у обычных полевых транзисторов с оксидными изоляторами затвора. Поэтому они могут работать с более низким электрическим сопротивлением, тем самым уменьшая потери проводимости.
Команда также продемонстрировала нормально выключенную работу полевого транзистора, что является важной особенностью для приложений силовой электроники. Новая технология изготовления позволила удалить акцепторы электронов с поверхности, что и стало ключам к успеху.
В дальнейшем ученые сосредоточатся на улучшении физических свойств алмазного полевого транзистора, чтобы сделать его более подходящим для практического использования.
Ранее мы также сообщали о разработке Сколтехом нового оптического транзистора, который может ускорить вычисления в 1000 раз.
Для развития канала нам важна ваша поддержка, подписывайтесь на канал и ставьте лайки.
