Компании IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в кремниевых технологиях - совместной разработке полевого транзистора с вертикальным каналом Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET). Новинка позволит сократить энергопотребление микропроцессоров на величину до 85% в сравнении с нынешними микросхемами на полевых транзисторах finFET, у которых канал расположен горизонтально. Число транзисторов на кристалле увеличится без изменения технологических норм. __________________________________ Спасибо за ваши комментарии и лайки. Нам важно, что вы нас читаете.
Компании IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в кремниевых технологиях - совместной разработке полевого транзистора с вертикальным каналом Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET). Новинка позволит сократить энергопотребление микропроцессоров на величину до 85% в сравнении с нынешними микросхемами на полевых транзисторах finFET, у которых канал расположен горизонтально. Число транзисторов на кристалле увеличится без изменения технологических норм.
__________________________________
Спасибо за ваши комментарии и лайки. Нам важно, что вы нас читаете.