Компания Теллур Электроникс принимает заказы на магниторезистивную память Netsol. В слоях MRAM используется материал с высокой магнитной проницаемостью, что позволяет хранить информацию с помощью магнитного потока. Работа ячейки памяти строится на управляющем транзисторе и магнитных запоминающих элементах, состоящих из нескольких слоев с фиксированной поляризацией и тонкого диэлектрического туннельного барьера. Изменение сопротивления вызывается изменением магнитного состояния слоёв ячейки, что влечет появление магниторезистивного эффекта, который позволяет считывать данные на высокой скорости.
Преимущества MRAM Netsol:
- Небольшие габариты;
- Напряжение питания 1,8/3,3В и широкий температурный диапазон использования;
- Низкий коэффициент программных ошибок по сравнению с технологиями SRAM и BBSRAM;
- Простой высокоскоростной интерфейс (SPI, QPI, Parallel) при тактовой частоте 40 МГц позволяет избежать задержек записи;
- Замена нескольких видов памяти Flash, SRAM, а также энергонезависимой EEPROM позволяет использовать простые и надежные решения в электрических схемах;
- Соответствует директиве RoHS;
- Хранение данных более 20 лет
Основное применение: сервера, транспорт, авиация, системы промышленной автоматики, робототехника, устройства управления электропитанием, медицинские приборы.