Компании Samsung и IBM совместно разработали новый тип микросхем на базе транзисторов с вертикальной ориентацией, которые потребляют на 85% меньше энергии.
Партнеры сообщили о прорыве в области полупроводниковых чипов, позволяющий оптимизировать их либо в сторону сокращения энергопотребления, либо увеличения вычислительной мощности электронных устройств. Это стало возможно за счет перпендикулярного расположения вертикальных транспортных полевых транзисторов (VTFET) по отношению к кристаллу, что обеспечивает более высокую плотность их размещения на единицу площади.
Такая конструкция позволяет использовать более крупные контакты для увеличения подачи электрического тока, а также изменять длину затворов и толщину изолирующих прокладок для снижения емкости.
Используя расширение физических ограничений, Samsung сможет создавать смартфоны, которые будут работать до недели без подзарядки, или вдвое повысить их производительность с сохранением прежнего уровня энергопотребления. Пока что партнеры не разглашают сроков внедрения новой технологии в коммерческие продукты.
IBM прогнозирует что вертикальные транзисторы помогут еще долгие годы поддерживать темп совершенствования чипов в соответствии с законом Мура. Пока что техническим пределом компании является изготовление процессора с 2-нанометровыми транзисторами, в то время как в мае тайваньский производитель полупроводников TSMC объявил о разработке высокоэффективных интегральных микросхем на базе 1-нанометровой технологии.
Для развития канала нам важна ваша поддержка, подписывайтесь на канал и ставьте лайки.