На недавно состоявшейся конференции IDEM, которая была проведена в Сан-Франциско (США), представители компании IBM и Samsung предоставили на обозрение широкой публики свою новую разработку, которая подразумевает вертикальное расположение транзисторов в чипах.
Данная технология получила название Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET), которая дает возможность или существенно нарастить мощность, или же в значительной степени сократить энергопотребление чипа по сравнению с распространенными микросхемами аналогичного размера.
Новая разработка и ее перспективы
Как известно, при создании современных процессоров и чипов транзисторы наносятся на кремниевую площадку в горизонтальной плоскости. Технология VTFET подразумевает их вертикальное размещение. И согласно заявлениям самих разработчиков, такой подход обладает сразу двумя существенными преимуществами.
Так за счет использования VTFET удается обойти многие существующие ограничения, обусловленные действием закона Мура.
Для справки. Согласно закону Мура, общее число транзисторов, которое размещается на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые два года.
А также благодаря использованию нового дизайна можно существенно сократить электрические потери за счет применения более эффективного перенаправления потока энергии.
Так, согласно расчетам специалистов, такой подход даст возможность создавать новые чипы, которые окажутся или как минимум в два раза более эффективными существующих аналогов, или же будут потреблять на 85% энергии меньше, чем аналоги, которые разрабатываются по технологии FinFET.
В будущем специалисты считают, что чипы, произведенные по технологии VTFET, позволят производить, например, сотовые телефоны, которые будут работать на одном заряде батареи до одной недели и/или легко выполнять энергозатратные операции, например, выполнять криптомайнинг с пониженным расходом энергии.
Пока неизвестно, когда такие чипы будут полномасштабно использоваться в современных электронных устройствах. Так что будем следить за развитием данной технологии и дальше.
Если вам понравился материал, то не забудьте подписаться на канал и спасибо за ваше внимание!