Найти в Дзене
Егор Пананенков

Про - граммирование флэш-памяти программ осуществляется сегментами

Для сохранения необходимых данных в режимах пониженного энергопотре - бления вплоть до режима программного перехода в состояние с минимальным энергопотреблением (deep software standby mode) в МК предусмотрена отдельная память ОЗу (Standby SRAM) емкостью 1 Кбайт. Доступ к этой памя - ти контролируется с помощью того же атрибута безопасности, что и доступ к основному 256-Кбайт ОЗу. В этом разделе также уместно упомянуть о том, что в МК реализована защита от записи в некоторые критически важные регистры. В зависимости от модификации МК группы RA6M4 их объем флэш-памяти программ составляет 256, 768 или 1024 Кбайт. Размер флэш-памяти дан - ных 8 Кбайт неизменен во всех модификациях. Флэш-память программ состоит из двух банков, что упрощает обновление программно вания одного из банков другой банк флэш-памяти продолжает работать в штатном режиме. В рабочем режиме программный код может выполнять - ся только из одного блока (линейный режим) или из обоих банков (дуальный режи

Для сохранения необходимых данных в режимах пониженного энергопотре - бления вплоть до режима программного перехода в состояние с минимальным энергопотреблением (deep software standby mode) в МК предусмотрена отдельная память ОЗу (Standby SRAM) емкостью 1 Кбайт. Доступ к этой памя - ти контролируется с помощью того же атрибута безопасности, что и доступ к основному 256-Кбайт ОЗу. В этом разделе также уместно упомянуть о том, что в МК реализована защита от записи в некоторые критически важные регистры. В зависимости от модификации МК группы RA6M4 их объем флэш-памяти программ составляет 256, 768 или 1024 Кбайт. Размер флэш-памяти дан - ных 8 Кбайт неизменен во всех модификациях. Флэш-память программ состоит из двух банков, что упрощает обновление программно вания одного из банков другой банк флэш-памяти продолжает работать в штатном режиме. В рабочем режиме программный код может выполнять - ся только из одного блока (линейный режим) или из обоих банков (дуальный режим). Показанная на рисунке 4 струк - турная схема модуля флэш-памяти исчерпывающе описывает архитекту - ру модуля. Добавим, что флэш-память данных доступна для чтения во время программирования или стирания флэш - памяти программ. Точно так же, как флэш-память программ доступна для чтения во время программирования или стирания флэш-памяти данных. Про - граммирование флэш-памяти программ осуществляется сегментами по 128 байт, а стирание – б л ок а м и р аз м ер о м 8–32 Кбайт. Флэш-память данных про - граммируется сегментами 4/8/16 байт, а стирается блоками размером 64 байт. Обе флэш-памяти имеют несколько ступеней защиты от несанкционированного доступа. ПИТАНИЕ, ТАКТИРОВАНИЕ, СБРОС Напряжение питания МК находится в диапазоне 2,7–3,6 В, если не исполь - зуется USB. Если же этот интерфейс используется, то диапазон напряже - ния питания сужается до 3,0–3,6 В. Для контроля напряжения питания исполь - зуются три детек тора напряжения LVD0–LVD2, которые фиксируют пони - жение напряжения питания. Каждый из этих детекторов контролирует свой пороговый уровень напряжения: VD