Найти в Дзене
Вова Виконов

повторяющееся напряжение изоляционного барьера VIOPM

1 мин
иапазон рабочей температуры: –40…150°C; – корпус: QFN-12 (2,0×2,0 мм). TI. цифровая гальваническая развязка ISO6721. Структурная схема развязки показана на рисунке 4. Основные параметры ISO6721: – диапазон напряжения питания: 1,71– 5,5 В; – скорость передачи данных (макс.): 50 Мбит/с; – время задержки: 11 нс; – устойчивость к изменению синфазного напряжения: ±75 кВ/мкс; – диапазон рабочей температуры: –40…125°C; – корпус: D (8) (4,90×3,91 мм). ДАТЧИКИ Bourns. Энкодер EC11H (см. рис. 5). Основные параметры: – диапазон напряжения питания: 5 В; – выходной ток (макс.): 10 мА; – выходной сигнал: 2-бит квадратурный; – выходное сопротивление: 100 мОм; – скорость (макс.): 60 об/мин; – диапазон рабочей температуры: –20…70°C; – размер: 25×13,6 мм. ДИСКРЕТНЫЕ СИЛОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ Analog devices. И з о л и р о в а н - ный полумостовой драйвер затвора ADuM4221. Структурная схема драйвера приведена на рисунке 6. Основные параметры ADuM4221: – диапазон напряжения питания: 4,5– 35 В; – ток (

иапазон рабочей температуры: –40…150°C; – корпус: QFN-12 (2,0×2,0 мм). TI. цифровая гальваническая развязка ISO6721. Структурная схема развязки показана на рисунке 4. Основные параметры ISO6721: – диапазон напряжения питания: 1,71– 5,5 В; – скорость передачи данных (макс.): 50 Мбит/с; – время задержки: 11 нс; – устойчивость к изменению синфазного напряжения: ±75 кВ/мкс; – диапазон рабочей температуры: –40…125°C; – корпус: D (8) (4,90×3,91 мм). ДАТЧИКИ Bourns. Энкодер EC11H (см. рис. 5). Основные параметры: – диапазон напряжения питания: 5 В; – выходной ток (макс.): 10 мА; – выходной сигнал: 2-бит квадратурный; – выходное сопротивление: 100 мОм; – скорость (макс.): 60 об/мин; – диапазон рабочей температуры: –20…70°C; – размер: 25×13,6 мм. ДИСКРЕТНЫЕ СИЛОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ Analog devices. И з о л и р о в а н - ный полумостовой драйвер затвора ADuM4221. Структурная схема драйвера приведена на рисунке 6. Основные параметры ADuM4221: – диапазон напряжения питания: 4,5– 35 В; – ток (пик.): 4 А; – устойчивость к изменению синфазного напряжения: 150 кВ/мкс; – время нарастания/спада: 18 нс; – мертвое время: 2,3 мкс; – электрическая прочность изоляции: 5700 В (СКз); – повторяющееся напряжение изоляционного барьера VIOPM (пик.): 849 В; – диапазон рабочей температуры: –40…125°C; – корпус: LGA (3×3 мм). TI. Полумостовой драйвер MOSFET UCC27182. Структурная схема драйвера представлена на рисунке 7. Основные параметры UCC27182: – напряжение (макс.): 120 А; – вытекающий ток: 2,5 А; – втекающий ток: 3,5 А; – встроенный бутстрепный диод; – задержка распространения: 16 нс; – время нарастания 12 нс; – время спада: 10 нс; – диапазон рабочей температуры: –40…140°C; – корпус: SON10 или SOIC8. Vishay. Сдвоенный N-канальный MOSFET SiZF300DT, реализованный по технологии TrenchFEТ. Структурная схема SiZF300DT представлена на рисунке 8. Основные параметры SiZF300DT: