В Университете Карнеги - Меллона изобретён и запатентован MSM-диод, в структуре которого три слоя: металл, полупроводник и снова металл. Толщина полупроводника, согласно патентной заявке, выбрана как средняя дистанция (или меньше) пробега заряженных частиц, эмитируемых в слой полупроводника. Результат - «почти баллистический пролёт носителей, обеспечивающий чрезвычайно высокую плотность эмиссионного термионного тока и, следовательно, отличную нелинейность и возможность выпрямления тока». Металлы могут быть одинаковыми или разными. Авторы патента утверждают, что такие приборы смогут работать на частотах свыше 100 ТГц! Изобретение предлагается, в частности, для оснащения ректенных решёток - инфракрасных приёмников, которые состоят из большого количества микроскопических антенн (ИК-свет - тоже электромагнитное излучение) с выпрямительными диодами. Подобная структура позволяет непосредственно преобразовывать свет в электроэнергию. Изобретатель диода профессор Йи Люо основал стартап-компани