Карбидокремниевые транзисторы с каскодной топологией

Серия транзисторов 4 поколения UJ4C/SC компании UnitedSiC, основанная на уникальной конфигурации с применением SiC FET, рассчитана на напряжение исток-сток 750 В и доступна в вариантах сопротивления открытого канала от 6 мОм до 60 мОм. Благодаря комбинации кремниевого низковольтного MOSFET во входном каскаде и высоковольтного SiC JFET на выходе в каскодном включении  (рис.1) удалось получить транзистор со стандартными управляющими напряжениями и встроенным антипараллельным диодом.

Приборы обеспечивают сниженные потери проводимости и повышенный КПД при более высокой скорости, улучшая при этом общую экономическую эффективность. UJ4C/SC могут безопасно управляться драйверами со стандартным напряжением от 0 В до 15 В (рис. 2). Высокое пороговое напряжение 5 В обеспечивает защиту от ложного срабатывания при высоких уровнях электромагнитных наводок. Как и предыдущие поколения, эти транзисторы могут работать со всеми типичными сигналами управления для Si IGBT, Si MOSFET и SiC MOSFET. Также предусмотрена встроенная защита затвора от электростатических разрядов. Все устройства имеют автомобильную квалификацию AEC-Q101.

Области применения:

• Автомобильная промышленность: тяговые инверторы, бортовые зарядные устройства, DC-DC преобразователи;
• ИТ-инфраструктура: ККМ, DC-DC преобразователи;
• Возобновляемые источники энергии: солнечные инверторы, хранение энергии.

Особенности:

• Напряжение исток-сток: 750 В, макс;
• Низкое RDS(on): 6…60 мОм;
• Ключевые показатели качества Figure–Of–Merit позволяют создавать высокопроизводительную силовую продукцию нового поколения:лучшее в своем классе RDS(on) x Area;
  улучшенные Qrr и потери Eon/Eoff;
  уменьшенные Coss(er)/Eoss и Coss(tr);
• Устойчивость к короткому замыканию: 5 мкс (6 мОм);
• Управление стандартным драйвером с напряжением от 0 В до 15 В;
• Пороговое напряжение VG(th): 5 В;
• Быстрое обратное восстановление;
• Низкий заряд затвора;
• Малое падение на встроенном антипараллельном диоде;
• Защита от ESD: HBM class 2;
• Стандартные корпуса: TO247-3L и TO247-4L (схема Кельвина);
• Автомобильная квалификация AEC-Q101

Рис. 1. Низковольтный Si MOSFET управляет 1200 В SiC JFET

Рис. 2. Каскодная конфигурация обеспечивает совместимость напряжений управления затворами Si и SiC

Рис.3. Серия транзисторов 4 поколения UJ4C/SC компании UnitedSiC

Производители: UNITEDSIC, USCI

Разделы: Полевые транзисторы