871 подписчик

Драйвер затвора с гальванической изоляцией для карбид-кремниевых транзисторов

9 ноября 20219 ноя 2021

2 мин

STMicroelectronics STGAP2SICSN(C) — это одноканальный драйвер затвора, обеспечивающий гальваническую развязку между силовым каскадом управления затвором и низковольтной логической схемой входного интерфейса. Он предназначен для промышленных приложений средней и высокой мощности, таких как преобразователи напряжения, инверторы, электроприводы.

Устройство доступно в двух различных конфигурациях. STGAP2SICSNTR имеет раздельные выходы втекающего и вытекающего тока, что позволяет оптимизировать режим ключа, используя в цепи затвора резисторы разных номиналов, для открытия и закрытия. Вторая конфигурация (STGAP2SICSNCTR) имеет один выходной контакт и схему подавления эффекта Миллера. Оба варианта обеспечивают высокую гибкость применения и сокращение количества внешних компонентов.

При снижении управляющего напряжения ниже допустимого (17 В) предусмотрена функция защиты, оптимизированная для работы с SiC MOSFET. Кроме того, предусмотрен перевод устройства в «безопасное состояние» в случае достижения температуры перехода пороговой величины, что еще больше повышает надежность работы драйвера.

Два логических входа позволяют выбрать полярность сигнала управления и реализовать блокировку выходов, чтобы избежать перекрестной проводимости в случае неисправности контроллера. Время задержки распространения сигнала около 75 нс, что обеспечивает высокую точность ШИМ-управления. Для снижения энергопотребления устройство можно перевести в режим ожидания.

Применение:

Драйверы электродвигателей для бытовой техники, автоматизации производства, промышленных приводов и вентиляторов;
Инверторы;
Зарядные устройства;
Индукционный нагрев;
Сварка;
ИБП;
Блоки питания;
DC-DC преобразователи;
Корректоры коэффициента мощности.

Особенности:

Высоковольтная шина до 1700 В;
Выходной ток: 4 А;
Устойчивость к синфазным переходным процессам (CMTI): ±100 В/нс во всём температурном диапазоне;
Время задержки распространения сигнала вход-выход: 75 нс;
Раздельные выходы вытекающего/втекающего тока (STGAP2SICSNTR);
Активное подавление эффекта Миллера: 4 А (STGAP2SICSNCTR);
Переход в безопасный режим при снижении напряжения управления ниже VHoff: 14.8 В;
Максимальное напряжение управления затвором: 17…26 В;
Логические входы управления с гистерезисом: 3.3, 5 В, TTL/CMOS;
Отключение при перегреве;
Функция ожидания;
Напряжение изоляции: 4.8 кВ, пик.;
Рабочая температура TJ: -40…125 °С;
Корпус: SO8.