Найти в Дзене
В. Брунько
1 подписчик

Рекурсивные процедуры

2
2 мин
Рекурсивные процедуры – это процедура прямо или косвенно вызывает саму себя. Несмотря на все изящество рекурсивных процедур, их работа сопряжена с повышенными затратами времени и ресурсов по памяти. При каждом новом вызове рекурсивной процедуры приходится сохранять значения всех ее локальных переменных и выделять новые участки памяти для очередной порции локальных данных. Как правило, рекуррентный алгоритм с большими или меньшими усилиями можно превратить в обычный циклический процесс. Так как в названии статьи есть такое понятие, как полупроводниковые тонкие пленки, хотелось бы охарактеризовать и данное понятие и показать, в чем заключается их смысл. Полупроводники – это новые материалы, с помощью которых на протяжении последних десятилетий удаётся разрешать ряд чрезвычайно важных электротехнических задач [2]. К полупроводниковым материалам относится большинство минералов, неметаллические элементы IV, V, VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сул

Рекурсивные процедуры – это процедура прямо или косвенно вызывает саму себя. Несмотря на все изящество рекурсивных процедур, их работа сопряжена с повышенными затратами времени и ресурсов по памяти. При каждом новом вызове рекурсивной процедуры приходится сохранять значения всех ее локальных переменных и выделять новые участки памяти для очередной порции локальных данных. Как правило, рекуррентный алгоритм с большими или меньшими усилиями можно превратить в обычный циклический процесс. Так как в названии статьи есть такое понятие, как полупроводниковые тонкие пленки, хотелось бы охарактеризовать и данное понятие и показать, в чем заключается их смысл. Полупроводники – это новые материалы, с помощью которых на протяжении последних десятилетий удаётся разрешать ряд чрезвычайно важных электротехнических задач [2]. К полупроводниковым материалам относится большинство минералов, неметаллические элементы IV, V, VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов, органические красители. Широко применяемыми полупроводниковыми материалами являются элементы IV группы периодической системы Менделеева – германий и кремний. Это вещества, кристаллизирующиеся в решётке типа алмаза. Такая решётка представляет собой тетраэдр, по вершинам которого расположены четыре атома, окружающие атом, находящийся в центре тетраэдра. Здесь каждый атом связан с четырьмя ближайшими соседями силами ковалентной связи, так как каждый из них имеет четыре внешних валентных электрона. Когда речь идет о развитии нанотехнологий, имеются в виду три направления: • изготовление электронных схем (в том числе и объемных) с активными элементами, размерами сравнимыми с размерами молекул и атомов; разработка и изготовление наномашин, т.е. механизмов и роботов размером с молекулу; █ 7 █ СОВРЕМЕННЫЕ ИННОВАЦИИ № 1(3) 2016 • непосредственная манипуляция атомами и молекулами и сборка из них всего существующего. Реализация всех этих направлений уже началась. Почти десять лет назад были получены первые результаты по перемещению единичных атомов и сборки из них определенных конструкций, разработаны и изготовлены первые наноэлектронные элементы. По оценкам специалистов, уже на рубеже следующего века начнется производство наноэлектронных типов, например, микросхем памяти емкостью в десятки гигабайт. Разработанные в последние годы наноэлектронные элементы по своей миниатюрности, быстродействию и потребляемой мощности составляет серьезную конкуренцию традиционным полупроводниковым транзисторам и интегральным микросхемам на их основе как главным элементам информационных систем. Уже сегодня техника вплотную [4] приблизилась к теоретической возможности запоминать и передавать 1 бит информации с помощью одного электрона, локализация которого в пространстве может быть задана одним атомом. Это позволяет уменьшить размеры одного транзистора приблизительно до 10 нм, а рабочие частоты увеличить до порядка 1012 Гц. Ниже хотелось бы привести рисунки работ, выполненных в программе Matlab, где получены реализации, модели поверхностей полупроводниковых тонких пленок [3], а также проекции аттракторов на фазовую плоскость 1 , i i n n , где i n и i1 n - концентрации электронов в полупроводниковой тонкой пленке.