Исследователи из немецкого Института солнечных энергетических систем (Fraunhofer ISE) достигли рекордной эффективности преобразования 68,9% для полупроводникового фотоэлемента III-V на основе арсенида галлия, подвергнутого воздействию лазерного излучения с длиной волны 858 нанометров. Это самая высокая эффективность преобразования света в электричество, достигнутая на сегодняшний день. Секрет успеха Этот успех стал возможным благодаря специальной тонкопленочной технологии, в которой слои солнечных элементов сначала выращиваются на подложке (плёнке) из арсенида галлия, которая затем удаляется. На заднюю поверхность оставшейся полупроводниковой структуры, которая имеет толщину всего несколько микрометров, наносится проводящее зеркало с высокой отражающей способностью. Отражатель был оптически оптимизирован за счет комбинации керамики и серебра, а поглотитель ячейки был основан на арсениде галлия, легированном азотом, и арсениде алюминия-галлия p-типа (гетероструктура n-GaAs /