Samsung готовит SSD накопитель с памятью типа V-NAND 7-го поколения. Данный тип памяти, по словам Samsung, имеет более высокую плотность, а именно 176 слоев на чип, против 136 слоев в 6-ом поколении. Также упоминается о том, что данный тип памяти будет отвечать требованиям производительности интерфейсов PCIe 4.0 и PCIe 5.0, благодаря своей максимальной скорости чтения/записи 2 Гбит/с.
Samsung готовит SSD накопитель с памятью типа V-NAND 7-го поколения.
Данный тип памяти, по словам Samsung, имеет более высокую плотность, а именно 176 слоев на чип, против 136 слоев в 6-ом поколении. Также упоминается о том, что данный тип памяти будет отвечать требованиям производительности интерфейсов PCIe 4.0 и PCIe 5.0, благодаря своей максимальной скорости чтения/записи 2 Гбит/с.
