В Статье "Обман в 1 нм .." был дан грубый анализ ситуации в нанотехнологии. И рассказано об ожидаемом повороте в технологиях ,которые станут уже молекулярными. ТРЕГ - тригерная архитектура. Это совершенно другие идеи и принципы работы. На рис ТРЕГ - дана схема базового элемента этой технологии.
In -- Вход
U -- Управляющий вход
Ot1 -- Выход
Ot2 -- Инвертированный выход
Напряжения управления около 1,2 -1,5 в , токи fА.. Эти элементы достаточно устойчивы к обращению напряжения. Легко образуют элементы памяти, т.е. элементы с "защелкой" . Типичный размер - от ХХ-0,8 Нм2 - до 1,4 Нм2. Контакты (1-In, 4-U, 2-Ot1, 3-Ot2 ) представляют из себя атомы из функциональных групп. Ясно, что технологии изготовления коренным образом отличаются от нынешних. Поэтому, те страны, которые опоздали с раздачей, теперь могут отличиться и то в число лидеров этой технологии. Устойчивость электроники по этой технологии на порядки выше чем нанокремниевой. Уже существуют образцы транзисторов примерно с такой архитектурой, но, это всё таки, существенно другой уровень.
Технологические параметры :
Время переключения от < 10^(-15) sec до 10^(-13) sec - зависит от "тяжести" переноса.
Ток перезарядки - 10^(-16) А,
Переключение происходит после прихода переднего фронта импульса.
После переключения элемент может сохранять свое состояние без питания.
Лог "1" - 1,2- 1,5 в. - ток 10^(-16) А , Вх сопр > 10^(15) om.
Лог "0" - 0,2 -0,3 в. - ток 10^(-16) А , Вых. ток до 0,1 мка.
#ключевая технология #ключ #субнано #ячейка #cell technology #