Тайваньский производитель полупроводников TSMC объявил о прорыве в разработке 1-нанометровых микросхем.
Совместно с исследователями из Национального университета Тайваня и Массачусетского технологического института компания описала процесс производства чипов нового поколения.
Согласно опубликованной статье, изначально прорыв стимулировало открытие команды MIT, установившей, что использование полуметаллического висмута в качестве контактного электрода двумерного материала помогает значительно снизить сопротивление и увеличить ток в структуре. Далее TSMC оптимизировал предложенный процесс осаждения, а ученые из НУТ нашли способ сокращения компонентного канала посредством системы литографии пучка ионов гелия.
По словам разработчиков, технология обеспечивает энергоэффективность на грани физических пределов наноразмерных кремниевых полупроводников. 1-нм чипы также позволят значительно повысить производительность и быстродействие вычислительного оборудования.
Однако потребуются годы исследований и ряд технических разработок, прежде чем они начнут производиться в промышленных масштабах. В настоящее время передовыми являются 5-нм чипы, которые только недавно начали использовать в смартфонах премиум класса.
Сама TSMC планирует с 2022 года начать массовое производство только 3-нм микросхем.
Напомним, что в марте Samsung сообщил о разработке нового модуля оперативной памяти DDR5 емкостью 512 ГБ.
Для развития канала нам важна ваша поддержка, подписывайтесь на канал и ставьте лайки.
