2-нм техпроцесс TSMC вступил в стадию исследований и разработок: Результаты превзошли ожидания
TSMC планирует инвестировать 100 миллиардов долларов в следующие три года, из которых большая часть пойдет на передовые технологии.
TSMC заявила, что в 2- нм процессе достигнут значительный прогресс и результаты лучше чем ожидалось.
Пока что 2- нм техпроцесс TSMC только рекламировали. Он был только на стадии технологических изысканий, но теперь найден оптимальный технологический путь реализации.
Теперь 2- нанометровый процесс вошел в стадию исследований и разработок. Акцент сместился в сторону дизайна тестовых носителей, производства масок и пробного производства кремния.
Согласно TSMC, в технологическом узле 2 нм они откажутся от структуры FinFET и переключатся на структуру объемного затвора GAA. Ранее Samsung более агрессивно внедрила транзисторы GAA в техпроцесс 3 нм. Однако две структуры транзисторов не будут одинаковыми, и какой из них лучше, пока неясно.
На узле 2 нм процесс литографии играет ключевую роль. Литография EUV незаменима, но все еще существует много проблем.
2 - нанометровый узел TSMC будет способствовать улучшению процесса EUV для повышения качества и эффективности литографии.
Ранее сообщалось, что 2- нанометровая технология будет запущена в пробную эксплуатацию в 2023 году, а массовое производство - в 2024.
Так-же не забудь подписаться❤