Микросхемы Texas Instruments UCC5870-Q1 — это одноканальные гальванически изолированные драйверы затвора для карбидо-кремниевых МОП-транзисторов и IGBT, рассчитанные на применение в мощных приложениях для электротранспорта.
Силовой транзистор имеет защиту от превышения тока на базе шунтового резистора и от перегрева на основе NTC-датчика. UCC5870-Q1 имеет функцию защиты от короткого замыкания DESAT, включающую программируемое «мягкое» выключение или двухшаговое выключение. Для предотвращения паразитного защелкивания транзистора при быстром переключении предусмотрена схема активного подавления эффекта Миллера с током до 4 А.
Встроенный 10-бит АЦП позволяет контролировать до шести аналоговых входов и температуру драйвера. Интегрированные функции диагностики и обнаружения неисправностей упрощают проектирование систем, совместимых с требованиями ASIL-D стандарта автомобильной безопасности ISO26262. Возможность настройки параметров и порогов с помощью интерфейса SPI позволяет использовать это устройство практически с любыми SiC MOSFET или IGBT.
Приложения:
- Высокоскоростные IGBT и SIC MOSFET;
- Электротяговые инверторы;
- Модули питания гибридных или электромобилей
Технические параметры:
- Раздельное управление втекающим и вытекающим током: 15 А, макс. имп.;
- Оперативная регулировка тока управления драйвером;
- Блокировка и защита от сквозных токов;
- Поддержка функции активного короткого замыкания (ASC) на первичной и вторичной сторонах;
- Настраиваемая защита силового транзистора:защита от короткого замыкания с функцией DESAT;
защита от перегрузки по току и короткого замыкания с внешним шунтовым резистором;
защита от превышения допустимой температуры на базе NTC-датчика;
программируемое «мягкое» выключение (soft turn off - STO) и двухшаговое выключение (two-level turn off - 2LTOFF) при неисправностях силового транзистора; - Соответствие требованиям ASIL-D стандарта по функциональной безопасности дорожных транспортных средств ISO26262: встроенное самотестирование (BIST) компараторов повышенного и пониженного напряжения;
мониторинг порогового напряжения силового транзистора;
мониторинг тактовых импульсов встроенного генератора;
выходы сигнализации неисправности (nFLT1) и предупреждения (nFLT2); - Встроенная функция активного подавления эффекта Миллера;
- Дополнительный выход для внешнего транзистора подавления эффекта Миллера;
- Защита от превышения напряжения на силовом транзисторе;
- Защита от превышения или снижения ниже допустимого внешних и внутренних питающих напряжений;
- Низкий активный уровень по умолчанию, при не подключенном входе или недостаточном напряжении питания;
- Измерение температуры кристалла и защита от перегрева;
- Устойчивость к синфазным переходным процессам (CMTI): 100 кВ/мкс при VСM 1000 В;
- Функции реконфигурации, верификации, наблюдения, диагностики по интерфейсу SPI;
- 10-битный АЦП для мониторинга температуры, напряжения и тока;
- Напряжение изоляции: 3750 В СКЗ (1 мин, UL1577)
Рис. 1. Структурная схема UCC5870-Q1
Производители: Texas Instruments
Разделы: Демонстрационные платы , Драйверы IGBT и MOSFET
