Совсем недавно, 25 марта 2021 года Samsung объявила о создании планки оперативной памяти RDIMM объёмом 512 ГБ.
На планке расположены 40 модулей памяти DDR5 объёмом 16 ГБ каждая, при этом каждая пятая планка будет использоваться для проверки ECC — on-die-ECC (всего 32 рабочих модулей памяти). Модули памяти созданы с использованием новейшей технологии HKMG (High-K Metal Gate — транзисторы с подзатвором из материала, который имеет большую диэлектрическую проницаемость, чем оксид кремния).
Как заявляет компания, скорость передачи данных новой памяти составит 7200 Мбит/C - почти в 2 раза больше, чем у планок DDR4. При этом она будет потреблять на 13% меньше энергии.
Компания уточнила, что новые модули памяти будут использоваться в основном в вычислениях, связанных с искусственным интеллектом, анализом больших объёмов данных, машинным обучением и в серверах.
Samsung уже начала тестировать новые модули с различными вендорами серверного оборудования. Компания ожидает, что память DDR5 уже скоро появятся на рынке.
Вероятно, что модуль памяти DDR5 на 512 ГБ можно будет использовать в новых серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5, например, на базе процессоров AMD EPYC (Genoa) и Intel Xeon (Sapphire Rapids).