Компания Vishay General Semiconductor выпустила V8PAM10S - диоды с барьером Шоттки, выполненные по технологии Trench MOS (TMBS).
Благодаря новой технологии диоды имеют малое прямое падение напряжения (рис. ниже), низкие потери мощности и высокую эффективность работы.
Низкопрофильный корпус 4.3х2.7х0.9 мм удобен для автоматизированного монтажа. Несмотря на малые габариты диод допускает кратковременный пиковый импульсный ток до 90 А и обратное напряжение до 100 В. Для получения максимальной эффективности прибора следует предусмотреть конструктивные элементы для отвода тепла – полигон из медной фольги под корпусом или плата на алюминиевом основании.
Типичные приложения V8PAM10S включают высокочастотные инверторы, DC-DC преобразователи, устройства защиты от неправильной полярности
Особенности:
- Технология: Trench MOS Schottky;
- Низкопрофильный корпус: высота 0.95 мм;
- Подходит для автоматизированного монтажа;
- Низкие потери, высокая эффективность;
- Малое падение прямого напряжения;
- Соответствует уровню MSL 1 (J-STD-020);
- Автомобильная квалификация: AEC- Q101
- Технические параметры:
- Корпус: SMPA (DO-221BC);
- Устойчивость к воспламеняемости: UL 94 V-0
- Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение (VRRM): 100 В;
- Максимальный постоянный прямой ток (IF(AV)): 8 А;
- Пиковый прямой импульсный ток, 8.3 мс, одиночная полусинусоида (IFsm): 90 А;
- Падение напряжения (VF): 0.63 В (тип., 8 А, 125 °С);
- Рабочая температура перехода Tj: -40…+175 °С
Производители: Vishay , Vishay Precision Group
Разделы: Диоды выпрямительные
