SiC MOSFET 1200 В 32 мОм в корпусе TO-263-7L XL от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 32 мОм, 68 А в корпусе TO-263-7L XL поколения Gen 3 C3M0032120J1.

SiC MOSFET 1200 В 32 мОм в корпусе TO-263-7L XL от Wolfspeed

Технические характеристики C3M0032120J1 :

• напряжение пробоя: 1200 В
• ток (при 25 °C): 68 A
• Rds(On): 32 мОм
• тип корпуса: TO-263-7L XL
• суммарный заряд затвора: 111 нКл
• максимальная температура перехода: 150 °C
• заряд обратного восстановления: 323 нКл
• выходная емкость: 133 пФ
• время обратного восстановления: 13 нс

Применение транзистора C3M0032120J1 :

• возобновляемые источники энергии
• зарядные устройства электромобилей
• источники бесперебойного питания (ИБП)
• управление двигателем
• импульсные источники питания
• хранение энергии

Для более детального знакомства с характеристиками скачайте техническое описание C3M0032120J1.

Скачать каталог дискретных SiC приборов и модулей Wolfspeed

Новинки SiC MOSFET компонентов:

Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором Wolfspeed в России.