Команда учёных из Массачусетского технологического института (MIT) создала силовой кремниевый вакуумный транзистор, способный работать при напряжении порядка 40 кВ, причём на высоких частотах.
В качестве источника электронов используется катодная решётка с шагом 1 мкм, которая излучает отрицательно заряженные частицы с помощью туннельного эффекта. Под крышкой транзистора создаётся вакуум. Пролетев через вакуум около миллиметра, электроны попадают в металлический анод.
Катодная решётка, формируемая на кремниевой пластине, представляет собой матрицу кремниевых столбиков с тонкими кончиками, на которых возникает туннельный эффект. Кончики находятся в отверстиях металлического слоя, по функции напоминающего управляющую сетку электронной лампы. Столбики окружены вертикальными структурами из нитрида кремния, а вся решётка помещена в толстый изолирующий оксидный слой.
__________________________________
Спасибо за ваши комментарии и лайки. Нам важно, что вы нас читаете.
