Усилитель звука повышенной мощности 25 КИЛОВАТТ на IGBT транзисторах

Усилитель является составной частью более сложного комплекса: "УМЗЧ-АВ" Усилитель мощности звуковых частот, повышенной мощности", Обсуждается вариант на основе транзисторов IGBT.

Схема усилителя приведена на рис.1.

Выходной каскад - классический вариант в виде структуры на мощных NPN IGBT транзисторах, в количестве 100 шт.

Драйвер - вариант дифференциального усилителя на высоковольтных биполярных транзисторах.

Рис.1.Усилитель, схема электрическая

Основные характеристики:

• Мощность в нагрузке номинальная 25 кВт;
• Мощность пиковая 50 кВт;
• Сопротивление нагрузки: от 1 Ом и более;
• Номинальная чувствительность 5 В;
• Полоса частот 100 кГц;
• THD не хуже 0.51 %
• Напряжение питания +_310 В;
• Ток покоя не более 100 мА;
• КПД не хуже 0.6;

Диаграммы характеристик

полученные на частоте 1 кГц при нагрузке 1 Ом:

Для синусоидального сигнала

Рис.2.Для синусоидального сигнала

Красный цвет - входной сигнал. Синий - выходной.

Для треугольного сигнала

Рис.3.Для треугольного сигнала

Красный цвет - входной сигнал. Синий - выходной.

Для прямоугольного сигнала

Рис.4.Для прямоугольного сигнала

Красный цвет - входной сигнал. Синий - выходной.

АЧХ

Рис.5.АЧХ

THD

Рис.6.ТНD усилителя

Остальные характеристики:

• Зависимость полосы частот от нагрузки;
• Зависимость THD от нагрузки;
• Нагрузочная характеристика;
• Зависимость КПД от нагрузки;
• Зависимость помех в выходных цепях от пульсаций по питанию;
• Параметры для малых сигналов;
• Параметры для больших сигналов;
• Двухчастотные характеристики;
• Аварийные режимы;

И ряд других - в последующих выпусках.

Внешний вид модуля усиления на рис.7

Рис.7.УМЗЧ, внешний вид модуля усиления

Внешний вид драйвера с частью выходного каскада, размещенные на охладителе, приведен на рис.8:

Рис.8.Внешний вид драйвера с частью модуля усиления

Далее, по мере готовности, будет информация:

• Пусковые режимы;
• О защите в цепи нагрузки;
• О защитах в выходном каскаде;
• Об охлаждении транзисторов в выходном каскаде;
• О питании усилителя;
• Конструктивные особенности УМЗЧ.

В предыдущих выпусках рассматривались варианты усилителя:

• Мощностью 25 кВт на комплиментарных NPN и PNP транзисторах
• Мощностью 20 кВт на MOSFET транзисторах

В следующем выпуске рассмотрим вариант усилителя повышенной мощности класса D с ШИМ.

Приглашаем на сайт "Информационные технологии, связь и управление" компании "Инженерный центр НЕВСКИЙ". Там больше подробностей.

Ждем следующий выпуск.

Для комментариев - подпишитесь.