Для начала можете ознакомиться с частью 1.
Итак, переходим к следующему этапу. это определение вольт-амперных характеристик и работа по схеме ОБ, ОЭ, ОК. В части 1 мы рассмотрели общий принцип работы, теперь рассмотрим как это происходит непосредственно в транзисторе при подключении общая база.
Для этого используем несколько картинок.
Пример простой схемы включения, где у нас общая база.
Предположим, что у нас во второй части схемы, нет напряжения, тогда тока Iк просто не будет, он весь потечет от эмиттера через Zб в базу.
Но у нас есть второй путь, идти, через n-p переход в коллектор, а с него уже в базу. Но если вы помните работу p-n перехода, то у него есть прямое включение и обратное. Так вот в данном случае коллектор заперт через обратное включение.
Что мы делаем далее, на коллекторе создаем низкий потенциал но, он в несколько раз по модулю больше чем входной потенциал.
Получается, что носители попадая в базу (в нашем случае это дырки), будут подхватываться большим потенциалом от коллектора.
То есть ток начинается на эмиттере и следует в базу, а далее должен идти "-" от Uэб, но его как пылесос подхватывает напряжение коллектора. Получается, что большая часть заряда будет коллектором и далее на выход (нагрузку, потребитель и так далее)
Примерно получается такая картинка. Но тут важно понимать, что главное во всем этом сделать правильно технологически транзистор.
И выглядеть он будет уже так.
Обратите внимание, что заряд(в нашем случае положительный - красные стрелочки), попадает в базу и тут же подхватывается электрическим полем коллектора как пылесосом. При этом небольшой процент заряда попал в базу, так как изначально и был спровоцирован напряжением эмиттер-база.
Теперь как будет строиться управление. С помощью перехода ЭБ (эмиттер база ) мы питаем базу зарядом, который потом под большим напряжением переходит в коллектор, используя энергию Uкб. Подали по больше напряжение на входе, больше заряда идет в базу, больше заряда идет в коллектор.
У транзистора есть входная характеристика:
Обратите внимание на две кривые на рисунке. Они визуально похоже, но смещены по оси Х друг относительно друга. Особенность схемы ОБ в том, что подача напряжения на выход КБ(коллектор база) смещает входную характеристику ближе к оси. То есть помогает быстрее открыться переходу. При 0.3 В на входе мы имеем максимальный ток на эмиттере и коллекторе соответственно.
Но это еще начало, есть и выходная характеристика:
Эта характеристика подходит для нашей схемы ОБ(общая база). Обратите внимание, каждому значению тока эмиттера соответствует примерно такое же значение тока коллектора(0.9-0.95).
Как вы понимаете, мы сейчас рассмотрели банальное усиление по напряжению. есть еще усиление по току.
Следующее, что важно понимать, это схемы включения транзистора. Частотные свойства транзистора и режимы работы транзистора.
Если есть вопросы пишите в комментариях.
---------------------------------------------------------------
Кроме того Вам могут быть полезны статьи:
🔹 Гид по электронике.
🔹 Словарь терминов электроники.
Если информация оказалось знакомой, то можешь пройти Небольшой тест на знание азов электроники.
Хочешь узнавать быстрее и больше заполни опросный лист обратной связи,
-----------------------------------------------------------
А так же подписывайтесь в группу 🔹 Вконтакте и 🔹 Телеграм-канал.
