Эпоха кремния в наиболее эффективных полупроводниковых системах, вероятно, когда-нибудь закончится, и его потенциально может заменить новый двумерный материал. Это сделает электронику следующего поколения, наконец, доступной, доведя наши компьютеры и смартфоны до беспрецедентного уровня производительности. Многие ученые в настоящее время работают над этим материалом, и одна группа специалистов только что добилась больших успехов в этой области.
Прежде чем 2D-материалы заменят кремний в электронике, их производство должно стать дешевым и простым.
В поисках преемника кремния, который обеспечит превосходную энергоэффективность и производительность, он в настоящее время изучает многообещающий процесс создания высококачественных 2D-материалов. Материалы, которые могут привести в действие электронику нового поколения и вывести наши процессоры на новый уровень. Это примерно напр. о графене, два физических размера которого выходят за пределы наномасштаба (не более 100 нм), и поэтому его называют двумерным материалом.
Работа ученых описана в журнальной публикации и представляет два новаторских открытия. Речь идет как о первом в истории подтверждении того, что метод TMD (дихалькогенид переходного металла) выращивания полупроводниковых материалов позволит производить более эффективные и энергоэффективные системы, так и о реальном производстве однодоменных гетеропереходов в масштабе пластины. , которые создавались «слой за слоем».
Мы разработали геометрически закрытую структуру, которая облегчает кинетический контроль 2D-материалов, так что были решены все большие проблемы, связанные с высококачественным выращиванием 2D-материалов. Мы считаем, что наша технология [...] может коммерциализировать 2D-материалы, позволяя вставлять транзисторы слой за слоем в масштабе пластины […]. Наше достижение заложит прочную основу для 2D-материалов, подходящих для промышленных условий.
сказал один из исследователей, Санг-Хун Бэ.
Для этого исследователи преодолели три основные проблемы. Во-первых, они обеспечивали единую вафельную кристалличность, во-вторых, препятствовали образованию неравномерной толщины при вафельном росте и приводили к формированию вертикальных вафельных гетероструктур. Демонстрируя эффект своей работы, они хвастались тем, что форсировали вертикальный рост 2D-материалов с помощью различных химикатов и все в наномасштабе, а не в микромасштабе.
Кому понравилась статья, не стесняйтесь, подписывайтесь, ставьте лайки и удачного всем дня!!!