Институт физики полупроводников СО РАН получил грант на закупку высокотехнологичного оборудования

Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН в Новосибирске получил более 100 миллионов рублей на обновление оборудования.

«Размер субсидии из федерального бюджета, выделенной Институту физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН на обновление приборной базы в этом году, - 113,5 млн рублей», - сообщила пресс-служба ИФП.

Планируется, что прежде всего будет куплена установка для производства жидкого азота вместе с системой автоматической подачи, который полностью покроет потребности ИФП в этом хладагенте. Как пояснили в вузе, жидкий азот нужен для создания новых полупроводниковых материалов методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Помимо этого, институт на средства гранта приобретёт атомно-силовой и сканирующий электронный микроскопы, 3D профилометр и другое оборудование для создания полупроводниковых материалов.

Заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН Александр Милехин уточнил, что половина из оборудования будет отечественного производства.