Новосибирский институт физики полупроводников получил 113,5 млн рублей на оборудование

В том числе средства пойдут на приобретение установки для производства жидкого азота с системой автоматической подачи

НОВОСИБИРСК, 18 января. /ТАСС/. Новосибирский Институт физики полупроводников (ИФП) СО РАН получил 113,5 млн рублей на обновление природной базы по нацпроекту "Наука и университеты". Институт закупит, в частности, установку для производства жидкого азота, необходимого для создания новых полупроводниковых материалов, сообщает в среду пресс-служба ИФП СО РАН.

"Размер субсидии из федерального бюджета, выделенной Институту физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН на обновление приборной базы в этом году, - 113,5 млн рублей", - говорится в сообщении.

На средства гранта институт закупит высокотехнологичное оборудование, самой масштабной закупкой будет установка для производства жидкого азота вместе с системой автоматической подачи. Жидкий азот используется при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), который позволяет выращивать полупроводниковые структуры, контролируя их состав на уровне отдельных атомов. Это один из лучших способов создания новых полупроводниковых материалов. По словам заместителя директора по научной работе ИФП СО РАН Александра Милехина, ожидается, что установка позволит полностью покрыть потребности института в азоте.

Также планируется приобрести атомно-силовой и сканирующий электронный микроскопы. Эти два прибора дополняют друг друга - первый позволяет точно определять высоту рельефа наноструктуры, а второй - измерять латеральные параметры (длину, ширину, расстояние между отдельными элементами наноструктуры). Будет закуплен 3D профилометр - конфокальный микроскоп для высокоточного измерения профиля поверхности, шероховатости поверхности и пленок, трехканальной системы СДОМ 3/100-2М предназначенной для термической обработки полупроводниковых пластин. Еще одна крупная покупка нужна для обновления кремниевой "линейки" (создания полупроводниковых материалов на основе кремния) - установка термической обработки полупроводниковых пластин при проведении технологических процессов диффузии, окисления и отжига в потоке рабочих газов. Милехин уточнил, что половина закупаемого оборудования отечественного производства.

Ранее заведующий лабораторией ИФП СО РАН Александр Никифоров рассказал, что в институте создан опытный образец установки для "выращивания" многослойных полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Международной космической станции (МКС).

Метод МЛЭ заключается в том, что атомы разных элементов укладываются на специальную подложку послойно, чтобы в итоге получились полупроводниковые многослойные наноструктуры с нужными качествами. Чтобы в новый материал не попали чужеродные атомы и не испортили его свойства, процесс должен происходить в условиях высокого вакуума.