Правительство Японии планирует выделить порядка 350 млрд иен (около 2,38 млрд долларов) на создание совместного с США научно-исследовательского центра для разработки 2-нанометровых полупроводников следующего поколения, пишут японские СМИ. Договоренность о его создании была достигнута в конце июля этого года, когда прошли переговоры глав внешнеполитических и экономических ведомств Японии и США в формате «2+2», сообщает газета The Nikkei. Как ожидается, научно-исследовательский центр будет создан к концу года. В проекте примут участие Токийский университет, японский Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, Институт естественных наук «Рикэн». В проекте также примет участие ряд компаний, однако их перечень будет озвучен позднее. В качестве одного из кандидатов рассматривается американская IBM, передает ТАСС. Власти Японии также планируют выделить 450 млрд иен (около 3,07 млрд долларов) в качестве субсидий компаниям, создающим производства полупроводников. Еще 370 млр
Япония вызвалась решить американскую проблему с чипами
6 ноября 20226 ноя 2022
96
1 мин