IPD50R1K4CE – МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР С ТЕХНОЛОГИЕЙ COOLMOS™ CE ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ИСТОЧНИКАХ ПИТАНИЯ
11 октября 202211 окт 2022
15
CoolMOS™ CE – это новая технологическая платформа для высоковольтных МОП-транзисторов Infineon, разработанных в соответствии с революционным принципом суперперехода (SJ). Линейка 500В CE имеет все преимущества быстродействующих МОП-транзисторов SJ. Как и вся серия CE, транзисторы IPD50R1K4CEобеспечивают чрезвычайно низкие потери и делают коммутационные решения более эффективными, компактными и легкими. При этом IPD50R1K4CEимеют лучшее соотношение цены и качества на рынке.
Технические характеристики
Наименование: IPD50R1K4CE;
Маркировка: 5R1K4CE;
Тип транзистора: MOSFET;
Тип проводимости: N;
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт;
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В;
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В;
Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 3,5 В;
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3,1 A;
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
Общий заряд затвора (Qg): 8,2 нКл;
Время нарастания (tr): 6 нс;
Выходная емкость (Cd): 11 пФ;
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1,26 Ом;
Тип корпуса: ТО-252
Особенности
Чрезвычайно низкие потери из-за очень малых FOM, Rdson, Qg и Eoss;
Очень высокая коммутационная прочность;
Простое управление режимом переключения;
Покрытие, не содержащее свинец;
Не содержащий галогенов компаунд корпуса;
Улучшенная эффективность при малой нагрузке;
Подходит для применения в бытовой аппаратуре;
Применение
Каскады PFC, каскады ШИМ с жесткой коммутацией и каскады резонансной коммутации, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК- и PDP-телевизоров и внутреннего освещения.
CoolMOS™ CE – это новая технологическая платформа для высоковольтных МОП-транзисторов Infineon, разработанных в соответствии с революционным принципом суперперехода (SJ). Линейка 500В CE имеет все преимущества быстродействующих МОП-транзисторов SJ. Как и вся серия CE, транзисторы IPD50R1K4CEобеспечивают чрезвычайно низкие потери и делают коммутационные решения более эффективными, компактными и легкими. При этом IPD50R1K4CEимеют лучшее соотношение цены и качества на рынке.
Технические характеристики
Наименование: IPD50R1K4CE;
Маркировка: 5R1K4CE;
Тип транзистора: MOSFET;
Тип проводимости: N;
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт;
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В;
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В;
Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 3,5 В;
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3,1 A;
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
Общий заряд затвора (Qg): 8,2 нКл;
Время нарастания (tr): 6 нс;
Выходная емкость (Cd): 11 пФ;
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1,26 Ом;
Тип корпуса: ТО-252
Особенности
Чрезвычайно низкие потери из-за очень малых FOM, Rdson, Qg и Eoss;
Очень высокая коммутационная прочность;
Простое управление режимом переключения;
Покрытие, не содержащее свинец;
Не содержащий галогенов компаунд корпуса;
Улучшенная эффективность при малой нагрузке;
Подходит для применения в бытовой аппаратуре;
Применение
Каскады PFC, каскады ШИМ с жесткой коммутацией и каскады резонансной коммутации, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК- и PDP-телевизоров и внутреннего освещения.