Найти тему
ООО Спецэлсервис

IPD50R1K4CE – МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР С ТЕХНОЛОГИЕЙ COOLMOS™ CE ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ИСТОЧНИКАХ ПИТАНИЯ

CoolMOS™ CE – это новая технологическая платформа для высоковольтных МОП-транзисторов Infineon, разработанных в соответствии с революционным принципом суперперехода (SJ). Линейка 500В CE имеет все преимущества быстродействующих МОП-транзисторов SJ. Как и вся серия CE, транзисторы IPD50R1K4CEобеспечивают чрезвычайно низкие потери и делают коммутационные решения более эффективными, компактными и легкими. При этом IPD50R1K4CEимеют лучшее соотношение цены и качества на рынке.  
Технические характеристики

Наименование: IPD50R1K4CE;
Маркировка: 5R1K4CE;
Тип транзистора: MOSFET;
Тип проводимости: N;
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт;
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В;
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В;
Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 3,5 В;
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3,1 A;
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
Общий заряд затвора (Qg): 8,2 нКл;
Время нарастания (tr): 6 нс;
Выходная емкость (Cd): 11 пФ;
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1,26 Ом;
Тип корпуса: ТО-252
 

Особенности

Чрезвычайно низкие потери из-за очень малых FOM, Rdson, Qg и Eoss;
Очень высокая коммутационная прочность;
Простое управление режимом переключения;
Покрытие, не содержащее свинец;
Не содержащий галогенов компаунд корпуса;
Улучшенная эффективность при малой нагрузке;
Подходит для применения в бытовой аппаратуре;
Применение

Каскады PFC, каскады ШИМ с жесткой коммутацией и каскады резонансной коммутации, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК- и PDP-телевизоров и внутреннего освещения.
CoolMOS™ CE – это новая технологическая платформа для высоковольтных МОП-транзисторов Infineon, разработанных в соответствии с революционным принципом суперперехода (SJ). Линейка 500В CE имеет все преимущества быстродействующих МОП-транзисторов SJ. Как и вся серия CE, транзисторы IPD50R1K4CEобеспечивают чрезвычайно низкие потери и делают коммутационные решения более эффективными, компактными и легкими. При этом IPD50R1K4CEимеют лучшее соотношение цены и качества на рынке. Технические характеристики Наименование: IPD50R1K4CE; Маркировка: 5R1K4CE; Тип транзистора: MOSFET; Тип проводимости: N; Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт; Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В; Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В; Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 3,5 В; Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3,1 A; Максимальная температура канала (Tj): 150 °C; Общий заряд затвора (Qg): 8,2 нКл; Время нарастания (tr): 6 нс; Выходная емкость (Cd): 11 пФ; Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1,26 Ом; Тип корпуса: ТО-252 Особенности Чрезвычайно низкие потери из-за очень малых FOM, Rdson, Qg и Eoss; Очень высокая коммутационная прочность; Простое управление режимом переключения; Покрытие, не содержащее свинец; Не содержащий галогенов компаунд корпуса; Улучшенная эффективность при малой нагрузке; Подходит для применения в бытовой аппаратуре; Применение Каскады PFC, каскады ШИМ с жесткой коммутацией и каскады резонансной коммутации, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК- и PDP-телевизоров и внутреннего освещения.