Описание: Импульсный высокочастотный биполярный n-p-n транзистор. Предназначен для применения в импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом (КТ1-7) корпусе с гибкими выводами. Технические и электрические характеристики: Значения параметров при 25°C температуре окружающей среды. Цоколевка транзистора КТ3117А: Комплементарная пара: Комплементарной парой для КТ3117А является транзистор КТ313Б Аналоги: 2N2222
Описание:
Импульсный высокочастотный биполярный n-p-n транзистор. Предназначен для применения в импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом (КТ1-7) корпусе с гибкими выводами.
Технические и электрические характеристики:
Значения параметров при 25°C температуре окружающей среды.
- Макc. напряжение коллектор-база: (U*КБ) 60 В
- Макc. напряжение коллектор-эмиттер: (U*КЭ) 60 В
- Макc. напряжение эмиттер-база: (U*ЭБ) 4 В
- Макcимальный ток коллектора: (I*К) 400 А
- Макс. импульсный ток коллектора: (I*К*И) 800 А
- Макс. допустимая мощность рассеивания: (P*К) 300 мВ
- Диапазон рабочих температур: (TS) -60 to +125 °C
Цоколевка транзистора КТ3117А:
Комплементарная пара:
Комплементарной парой для КТ3117А является транзистор КТ313Б
Аналоги:
2N2222